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三星半導體12英寸閃存芯片二期
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三星（中國）半導體12英寸閃存芯片二期FAB生產棟工程位于西安市高新綜合保稅區內，建筑面積295122㎡，結構類型為RC現澆混凝土結構、PC預制構件結構、鋼結構及SRC勁性混凝土結構的混合結構體系。項目建成后將成為全球水平最高、規模最大的閃存芯片制造基地。
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